下列關於亞閾值導電特性的說法正確的是（）

A.亞閾值區的跨導比飽和區（強反型區）跨導大，有利於實現大的放大倍數

B.MOS管亞閾值電流ID一般為幾十~幾百nA,常用於低功耗放大器、帶隙基準設計

C.MOS管VGS由0增大到大於閾值電壓VTH，經歷截止---弱反型---強反型，這是一個漸進的過程，故當VGS<VTH時，仍有IDS存在

D.當VGS<VTH時，漏極電流ID以有限速度下降，導致功率損耗或模擬信息的丟失

正確答案：亞閾值區的跨導比飽和區（強反型區）跨導大，有利於實現大的放大倍數；MOS管亞閾值電流ID一般為幾十~幾百nA,常用於低功耗放大器、帶隙基準設計；MOS管VGS由0增大到大於閾值電壓VTH，經歷截止---弱反型---強反型，這是一個漸進的過程，故當VGS<VTH時，仍有IDS存在；當VGS<VTH時，漏極電流ID以有限速度下降，導致功率損耗或模擬信息的丟失