p型半導體中雜質原子所形成的局部能級（也稱受主能級），在能帶結構中應處於 - 播寶寶

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題目：p型半導體中雜質原子所形成的局部能級（也稱受主能級），在能帶結構中應處於

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p型半導體中雜質原子所形成的局部能級（也稱受主能級），在能帶結構中應處於

A.滿帶中

B.禁帶中，但接近滿帶頂

C.禁帶中，但接近導帶底

D.導帶中

正確答案：禁帶中，但接近滿帶頂

關鍵字：智慧樹

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1.在單縫夫瑯禾費衍射實驗中，波長為l的單色光垂直入射在寬度為3 l的單縫上，對應於衍射角為30o的方向，單縫處波陣面可分成的半波帶數目為（） 2.電場中某點的電場強度與檢驗電荷無關。 3.電場中某一點電勢的量值與電勢零點選擇無關。 4.若閉合曲面內沒有電荷，則閉合面上的電場強度處處為零。 5.靜電場中兩點的電勢差與電勢零點選擇無關。

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